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专利名称：一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构专利类型：发明专利
发明人：冯鸿涛,张志诚,陈艳,谢耀钦申请号：CN201611181748.1申请日：20161219公开号：CN106783486A公开日：20170531
摘要：本发明提供了一种图案化碳纳米管阴极的反射式X射线源结构，其包括碳纳米管、导电底座、绝缘罩、绝缘垫片、聚焦桶、栅网、阳极靶、铍窗和球管，绝缘罩的底部与导电底座配合并将碳纳米管、绝缘垫片和栅网由下而上依次安装在导电底座的顶部，聚焦桶设置在绝缘罩的顶部，当对导电底座和栅网分别施加电压到阈值后，通过栅网碳纳米管产生的电流强度，电子从碳纳米管的端面拉出，经过聚焦桶进行电子聚焦形成光斑打在阳极靶上，产生X射线并朝铍窗方向透射出去。采用本发明，能解决传统X射线源采用热阴极作为电子源而导致工作温度高、功耗大、启动速度慢，使用寿命短、不利于实现射线源的小型化的问题，同时实现对场致发射的。
申请人：中国科学院深圳先进技术研究院
地址：518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
国籍：CN
代理机构：广州三环专利代理有限公司
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