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专利名称：NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片专利类型：发明专利
发明人：苏志强,张现聚,李建新,纪艳丽申请号：CN201710212477.X申请日：20170401公开号：CN108665927A公开日：20181016
摘要：本发明实施例公开了一种NAND闪存的版图结构和NAND闪存芯片。NAND闪存包括数据块阵列、X方向的选通电路、地址译码与高压转换电路以及可控电压源，数据块阵列中包含依次排列的2N个数据块；数据块阵列选通电路分别分布在数据块单元两侧，用于控制数据块阵列中的偶数据块或奇数据块；N个地址译码与高压转换电路位于数据块阵列旁选通电路的外侧中的一侧；每个地址译码与高压转换电路产生的高压信号和可控电压源产生的信号共同控制与地址译码与高压转换电路相邻的选通电路，以及所述高压信号在版图上横穿数据块阵列控制与地址译码与高压转换电路不相邻的选通电路。本发明实施例可以节省版图面积，提高版图利用率。
申请人：北京兆易创新科技股份有限公司
地址：100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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