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专利名称：多晶硅制造装置及利用该装置的多晶硅制造方法专利类型：发明专利
发明人：丁允燮,金根镐,尹汝均,金镇成申请号：CN201110294450.2申请日：20110930公开号：CN102745693A公开日：20121024
摘要：本发明提供一种多晶硅制造装置，包括：反应管，在内部包含硅颗粒；流动气体供应部，向上述反应管内的硅颗粒供应流动气体；气体排出部，排出在上述反应管中产生的气体；压力传感器，安装于上述气体排出部或上述流动气体供应部内；以及颗粒排出口，当上述压力传感器测量的压力大于等于基准压力值时，将在上述反应管内部形成的多晶硅排出到外部。
申请人：硅科创富有限公司
地址：韩国大田市
国籍：KR
代理机构：北京鸿元知识产权代理有限公司
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