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专利名称：一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法专利类型：发明专利
发明人：刘南柳,陈蛟,李顺峰,汪青,罗睿宏,张国义申请号：CN201510302054.8申请日：20150604公开号：CN104862781A公开日：20150826
摘要：一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液，C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
申请人：北京大学东莞光电研究院
地址：523000 广东省东莞市松山湖创新科技园1号楼418室
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利商标代理有限公司
代理人：罗晓林
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