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专利名称：一种HKMG器件的制备方法专利类型：发明专利发明人：景旭斌
申请号：CN201510532382.7申请日：20150826公开号：CN105185713A公开日：20151223
摘要：本发明公开了一种HKMG器件的制备方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、无定型碳和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；步骤4：刻蚀去除栅极区域的多晶硅；步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和无定型碳；步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。本发明形成的氧-无定型碳-氧组合膜可以直接在已有设备中进行，没有额外的设备投入，并且无需担心污染或热稳定性问题。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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