（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200410054208.8 （22）申请日 2004.09.02 （71）申请人 上海交通大学
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
（10）申请公布号 CN1606137A （43）申请公布日 2005.04.13
（72）发明人 王英;蔡炳初;徐东;张效岩;张亚非 （74）专利代理机构 上海交达专利事务所
代理人 王锡麟
（51）Int.CI
H01L21/308; H01L21/32; H01L21/467; H01L21/475; C23F1/02;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法
（57）摘要
一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，
用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表
面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀和离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
2005-04-13 公开
2005-06-22 实质审查的生效 2007-04-04 授权 2011-02-02
专利权的终止
法律状态
公开
实质审查的生效 授权 专利权的终止
权利要求说明书
基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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