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专利名称：低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器专利类型：实用新型专利
发明人：宋金凤,邱德华,单来成,尚绪树,李启龙,桑涛申请号：CN201420533366.0申请日：20140917公开号：CN204068867U公开日：20141231
摘要：本实用新型公开了低温漂低功耗32.768KHz晶体振荡器，包括石英晶体、放大电路、反馈电阻、整形电路及负载电容C1、C2；其特征在于：所述的放大电路中的基准产生电路，由PMOS晶体管MP11、MP12和NMOS晶体管MN11、MN12及电阻串R11，构成β倍增基准电路，工作在亚阈值区域的场效应晶体管减小导通电流，使电阻串R11输出20nA电流，实现低功耗；电阻串R11由正、负温度系数的电阻串联组成，实现低温漂。该振荡器，能够通过正负温度系数抵消实现低温漂功能，通过工作在亚阈值区域的场效应晶体管减小导通电流，使基准电流达到20nA，实现整个电路的低功耗。而且结构简单、成本低廉、应用广泛。
申请人：山东力创科技有限公司
地址：271199 山东省莱芜市高新区凤凰路009号
国籍：CN
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