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专利名称：根据避免气泡形成和粗糙度的条件来进行共注
入步骤的薄层转移方法
专利类型：发明专利
发明人：N·P·阮,N·本穆罕默德,A·布萨戈尔,T·赤津,G·苏丘申请号：CN200480044031.1申请日：20040921公开号：CN101027768A公开日：20070829
摘要：本发明提出一种转移薄层的方法，其中进行两种不同种类的共注入步骤。选择所述第一和第二种类的注入能量以使所述第二种类峰位于所述脆变区内的施主衬底厚度中并且比所述第一种类散布区更深，并且选择所述第一和第二种类的注入剂量为基本上相似，第一种类注入剂量占总注入剂量的40％至60％。
申请人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
地址：法国贝尔尼
国籍：FR
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
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