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专利名称：光掩模的设计方法与半导体光刻制作工艺专利类型：发明专利
发明人：林晓江,张郁萱,曾立君申请号：CN201910110925.4申请日：20190212公开号：CN111487843A公开日：20200804
摘要：本发明公开一种光掩模的设计方法与半导体光刻制作工艺，其中该光掩模的设计方法包括先计算初始光掩模的开口率是否小于25％，若是所述开口率小于25％，则变更所述初始光掩模的设计，使变更后的光掩模与所述初始光掩模设计为反相(reverse tone)且所述变更后的光掩模的开口率在75％以上。所述方法能解决光掩模热膨胀问题。
申请人：力晶科技股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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