(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(21)申请号 CN200710101068.9 (22)申请日 2007.04.26 (71)申请人 三星电子株式会社
地址 韩国京畿道
(10)申请公布号 CN101068106A
(43)申请公布日 2007.11.07
(72)发明人 郑武京;金在辉;孔培瑄 (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 邸万奎
(51)Int.CI
H03F3/16; G05F3/16;
权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法
(57)摘要
一种稳压共源共栅放大电路,包括:第一
PMOS FET和第二PMOS FET,其串联连接在接收第一供电电压的第一端和输出端之间;第一NMOS FET和第二NMOS FET,其串联连接在输出端和接收第二供电电压的第二端之间;以及稳压电路。稳压电路基于第一PMOS FET的漏极的电压,将用于稳定在第一PMOS FET的漏极的电压的第一控制
信号输出到第二PMOS FET的栅极,并基于第一NMOS FET的源极的电压,将用于稳定在第一NMOS FET的源极中电压变化的第二控制信号输出到第一NMOS FET的栅极。
法律状态
法律状态公告日
2007-11-07 2009-06-24 2011-11-30
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
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权利要求说明书
共源共栅放大电路、放大器、和共源共栅放大电路的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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